Образцы кристаллов GaN HEMT
Х-диапазона

Компания Фаворит-ЭК предлагает для тестирования образцы кристаллов GaN HEMT, работающие в диапазоне DC — 12 ГГц с выходной мощностью 20 и 50 Вт. Транзисторы выполнены по технологии GaN с длиной затвора 0.25мкм с коэффициентом усиления 15 дБ и достигают значительно более высокой мощности усиления и выходной мощности, чем полевые транзисторы GaAs на аналогичной частоте.

Также в наличии имеются образцы многофункциональных кор-чипов
Х-диапазона на основе GaAs.

  • Диапазон частот: от 8 до 11.5 ГГц
  • Вносимые потери: 12 дБ @ 11.5 ГГц
  • P1дБ = +20 дБ
  • Размеры: 4000×5100 мкм
Для получения более подробной информации, Вы можете обратиться к нам по электронной почте info@favorit-ec.ru или по телефону +7 (495) 627-76-24