Полупроводниковые подложки

Программа поставок полупроводниковых материалов Фаворит-ЭК включает в себя:

- Проводящие подложки (SiC) и (Si)
- Полуизолирующие подложки карбида кремния (SiC) и эпитаксиальные структуры нитридов III группы на SiC-подложках
- Эпитаксиальные структуры нитридов III группы на подложках сапфира (Al2O3)

Диаметры структур:
- 50.8 мм
- 76.2 мм
- 100.0 мм
- 150.0 мм
- 203.2 мм

Одним из перспективных направлений является применение тонких GaN пленок, изготовленных из объемных кристаллов, что позволяет создавать приборные структуры, превосходящие по своим параметрам приборы, выращенные на чужеродных подложках.

   Использование тонкой GaN пленки позволяет решить проблемы:
       - плотность дислокаций в эпитаксиальном слое на подложке GaN не превышает плотности дислокаций в подложке;
       - отсутствуют изгиб и растрескивание, вызванные несоответствием коэффициентов теплового расширения;
       - теплопроводность GaN сравнима с теплопроводностью карбида кремния, при этом отсутствует интерфейсный слой между эпитаксиальным слоем и подложкой, затрудняющий отвод тепла;
       - упрощается процесс эпитаксии приборной структуры.

 В наличии имеется ОБРАЦЕЗ тонкой GaN пленки, изготовленной из объемных кристаллов, для проведения тестирования и замера характеристик.

Для получения более подробной информации о технических и технологических возможностях наших foundry-партнеров Вы можете обратиться к нам по электронной почте lvs@favorit-ec.ru или по телефону +7 (495) 627-76-24 доб. 125