HEMT кристаллы

Особое место в ассортименте занимают кристаллы на основе структур арсенида галлия (GaAs) и нитрида галлия (GaN) на карбиде кремния (SiC), которые значительно превосходят
полупроводниковые материалы на основе кремния, что делает их незаменимыми при производстве мощных полупроводниковых приборов. Обладая самым высоким значением напряжения пробоя, теплопроводностью и подвижностью электронов, карбид кремния позволяет достичь наивысшей мощности на единицу площади кристалла в полупроводниковых приборах.

Диапазон   Полоса частот, ГГц   Выходная мощность, Вт    Коэффициент усиления, дБ
КПД добавленной мощности, %   Питание, В
   L,S,C     DC–6 10  22 73 48
20  21 73 48
30  21 72 48
40  20 72 48
50  20 72 48
60  20 72 48
L,S DC–4 85  20  72 48
120  20  71 48
170  21  75 48
240  18,5  65 48
320  17,4  65 48

Для получения более подробной информации о технических и технологических возможностях наших foundry-партнеров Вы можете обратиться к нам по электронной почте lvs@favorit-ec.ru или по телефону +7 (495) 627-76-24 доб. 125